mos管介绍(mos管及其特点)

1、mos管及其特点

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2、mos管介绍

“电路防反接,你真的会用了吗?MOS管用作防反接的接法,理解了吗?”,做过电子产品设计的工程师,都会在电源部分加入防反接电路,主要目的就是怕电源的GND和正极接反,导致电路板烧毁。通常,我们会采用二极管,准确的说是肖特基二极管,串联在电源的正极电路中。也有很多电子工程师会采用MOS管,包括PMOS管和NMOS管。MOS管用作防反接,需要注意哪些细节?1、肖特基二极管用为防反接:这种电路很简单,将其串联在电路中就可以。但这种接法的缺点也比较多,二极管的管压降会消耗零点几伏的电压,如果电路中的电流很大,二极管消耗的功耗就会很大,功耗=电压*电流。2、PMOS管作用作防反接:将PMOS管的S极和D极串联在电源正极电路中。MOS管导通后,S极和D极之间的电阻为毫欧级别,一般为几百毫欧。所以,MOS管上的压降不算大,因此,它消耗的功率也就比较小。相比较而言,PMOS管的价格要贵点。有些批量的产品,每年的产量都是KK级别的,需要考虑成本,可以选择二极管或NMOS管。3、NMOS管作用作防反接:将NMOS管的S极和D极串联在电源负极电路中。NMOS种类比较多,导通压降小,功耗小,性价比较高。但是,它有个缺点,就是将电源的GND和后级电路的GND分割。很多电子爱好者有隔疑问,MOS管串联在电源电路中和电路控制中,接法不一样。以PMOS管为例,电路控制中,G极小于S极某个值,PMOS开始导通,G极接低电平,而S极接高电平。而电源防反接电路中,G极接地,D极接电源的输入端,G极为电源输出端。其实,PMOS管里面有个体二极管,D极连接到二极管阳极,S极连接到二极管的阴极。电源输入端接D极后,经过二极管到后级电路,S极的电压就会高于G极电压,这样,PMOS管就导通。总结:这三种防反接电路各有优缺点,根据自身项目需要,以及成本考虑,选择合适防反接电路。

3、mos管主要参数

什么是MOS管?什么是IGBT?MOS管和IGBT有什么区别?终于可以有人讲清楚了,你们看懂了吗?

4、mos管详细讲解

跟我学电子第六天:增强型MOS管结构与工作原理增强型MOS管是一种采用多晶片技术封装在一起的单片集成电路,它结合了场效应晶体管(MOSFET)和双极型器件的优点。MOSFET通过电场控制电子流动,因此能够具有较高的效率和低功耗。此外,双极型器件能够通过更精确地控制晶体管的门饱和电流来提高工作性能。增强型MOS管的工作原理是,当在管的源极和漏极之间施加正向偏压时,漏极电流就会逐渐增加,从而允许更多的电子流动,管的输出电压也会随之降低。它具有高速、高精度、低功耗等优点,广泛应用于电路设计中。

5、mos管用途

UC3842 3843开关电源芯片解读:1、PWM驱动能力很强,能够做到比较大的功率,功率大了用MOS管的电流就大,更低功率的MOS。由于MOS管的工艺的限制,需要我们更大的驱动能力,开关速度不变。2、问IC原厂芯片能够驱动多大的MOS管。可以直接驱动很大MOS,能够驱动正负1A的电流。正负1A的定义就是,拉电流和关电流。正电流从芯片往外面跑,负电流从芯片往里面跑。3、内部有一个基准电压,不要光耦,就可以做成PSR的方式。4、20年前的开关电源芯片能够做到这样,很牛逼了。但是也有缺点,真正的高手能够避开这些缺陷。这个3843芯片缺点如下:1、占空比很高,占空比100%,会出现很大问题的一个因素。变压器和外围器件的参数设置不合理,否则炸机,必炸。新出的芯片占空比为80%,所以很少炸机。占空比越大,输出和输入。2、这颗芯片没有频率抖动,EMC就会很差。对于现在的芯片来说,EMC就难处理。3、没有协议补偿电路,现在的芯片都有协议补偿电路集成到芯片内部了。4、没有软启动,一开机占空比非常大,动不动就炸机。现在的芯片都会有软启动,ms级别的。5、启动电流非常大,给它一个1A的启动电流,待机功耗就大。无论用哪一家的芯片,一定用一个假负载,低于20K频率就有噪音了。6、快速启动/二级启动电路,动态负载:电解电容就会启动很大的作用的。19161、191627、OCP,电流保护第四脚,初级输入电压不一样,初级过流点,过压保护点一致。

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